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    进一步进步轴承感应加热温度或延长保温时光，大年夜晶粒将持续长大年夜这就是无数个小品粒被兼并和大年夜晶粒长大年夜的综合成果。这种长大年夜过程又称为奥氏体的长大年夜再结晶。

　　轴承感应加热中奥氏体品粒长大年夜的动力是其晶粒尺寸的不平均性。而与品粒尺寸成反比、晶粒长大年夜的驱动力与界面能成反比。

　　幻想状况下的晶界。处于这种状况下的轴承感应加热奥氏体晶粒不易长大年夜。但实际上奥氏体晶粒的大年夜小是不平均的。直径小于平均直径的晶粒，其邻接晶粒数一般小于6；直径大年夜于平均直径的品粒，其邻接晶粒数一般大年夜于6、为了保持界面张力平街。

    在必定温度前提下，因为轴承感应加热界面张力均衡感化，凡邻接晶粒数小于6的晶粒的晶界都将曲折成正曲率弧，使界面面积增大年夜，界面能升高。幻想状况下的晶界。

　　为了减小轴承感应加热晶界面积以降低界面能，晶界有由曲线变成直线的自发趋势，是以将导致该晶粒缩小，直至消掉。邻接晶粒数大年夜于6的晶粒的界面也因晶界张力均衡而曲折成负曲率弧，同样为减小界面面积，降低界面能，该晶粒将长大年夜，从而兼并小品粒。

　　总之，界面能越大年夜、晶粒尺寸越小，轴承感应加热奥氏体晶粒长大年夜的驱动力就会越大年夜，即晶粒的长大年夜偏向越大年夜，品界易于迁徙。